ON Semiconductor - NVMTS0D4N04CTXG

KEY Part #: K6396131

NVMTS0D4N04CTXG Preços (USD) [32283pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.27659

Número da peça:
NVMTS0D4N04CTXG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
AFSM T6 40V SG NCH.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMTS0D4N04CTXG Atributos do produto

Número da peça : NVMTS0D4N04CTXG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : AFSM T6 40V SG NCH
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.45 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 251nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 16500pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 5W
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-DFNW (8.3x8.4)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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