[12788pcs Estoque]
- Número da peça:
- STD1HNC60T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STD1HNC60T4 electronic components. STD1HNC60T4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD1HNC60T4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD1HNC60T4 Atributos do produto
Número da peça :
STD1HNC60T4
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Series :
PowerMESH™ II
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
228pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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