[13453pcs Estoque]
- Número da peça:
- NTJS4151PT1
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTJS4151PT1 electronic components. NTJS4151PT1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTJS4151PT1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTJS4151PT1 Atributos do produto
Número da peça :
NTJS4151PT1
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Pacote / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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