2SK3564(STA4,Q,M) Preços (USD) [51668pcs Estoque]
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- 50 pcs$0.67264
- 100 pcs$0.60537
- 500 pcs$0.47083
- 1,000 pcs$0.39012
- Número da peça:
- 2SK3564(STA4,Q,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
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2SK3564(STA4,Q,M) Atributos do produto
Número da peça :
2SK3564(STA4,Q,M)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Series :
π-MOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
40W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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