[3770pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF9953PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF9953PBF electronic components. IRF9953PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9953PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF9953PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF9953PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
190pF @ 15V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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