NXP USA Inc. - BUK9880-55A,115

KEY Part #: K6415229

[12481pcs Estoque]


    Número da peça:
    BUK9880-55A,115
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 55V 7A SOT223.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Single ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK9880-55A,115 Atributos do produto

    Número da peça : BUK9880-55A,115
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
    Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 73 mOhm @ 8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 5V
    Vgs (máx.) : ±15V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 584pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 8W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
    Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA