IXYS - IXFK30N100Q2

KEY Part #: K6402697

IXFK30N100Q2 Preços (USD) [3240pcs Estoque]

  • 1 pcs$14.77587
  • 25 pcs$14.70236

Número da peça:
IXFK30N100Q2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK30N100Q2 Atributos do produto

Número da peça : IXFK30N100Q2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8200pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 735W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-264AA (IXFK)
Pacote / caso : TO-264-3, TO-264AA

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