IXYS - IXTN22N100L

KEY Part #: K6398331

IXTN22N100L Preços (USD) [2223pcs Estoque]

  • 1 pcs$20.44543
  • 10 pcs$19.12085
  • 25 pcs$17.68398
  • 100 pcs$16.57873
  • 250 pcs$15.47348

Número da peça:
IXTN22N100L
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN22N100L Atributos do produto

Número da peça : IXTN22N100L
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 11A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 15V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7050pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 700W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC

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