Toshiba Semiconductor and Storage - 2SJ668(TE16L1,NQ)

KEY Part #: K6412278

[8449pcs Estoque]


    Número da peça:
    2SJ668(TE16L1,NQ)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Zener - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SJ668(TE16L1,NQ) Atributos do produto

    Número da peça : 2SJ668(TE16L1,NQ)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
    Series : U-MOSIII
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 2.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 20W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PW-MOLD
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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