Infineon Technologies - IRFR3518PBF

KEY Part #: K6412190

IRFR3518PBF Preços (USD) [13531pcs Estoque]

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Número da peça:
IRFR3518PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3518PBF Atributos do produto

Número da peça : IRFR3518PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 38A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1710pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63