RS1E180BNTB Preços (USD) [478859pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08539
- 2,500 pcs$0.08497
- Número da peça:
- RS1E180BNTB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RS1E180BNTB electronic components. RS1E180BNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1E180BNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS1E180BNTB Atributos do produto
Número da peça :
RS1E180BNTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.9 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-HSOP
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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