Infineon Technologies - SPS03N60C3BKMA1

KEY Part #: K6407105

SPS03N60C3BKMA1 Preços (USD) [1089pcs Estoque]

  • 1,500 pcs$0.23369

Número da peça:
SPS03N60C3BKMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPS03N60C3BKMA1 Atributos do produto

Número da peça : SPS03N60C3BKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 135µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 38W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO251-3
Pacote / caso : TO-251-3 Stub Leads, IPak

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