Rohm Semiconductor - RUQ050N02TR

KEY Part #: K6421134

RUQ050N02TR Preços (USD) [360320pcs Estoque]

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  • 10 pcs$0.28080
  • 100 pcs$0.21658
  • 500 pcs$0.16042
  • 1,000 pcs$0.12834

Número da peça:
RUQ050N02TR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RUQ050N02TR Atributos do produto

Número da peça : RUQ050N02TR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.25W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TSMT6 (SC-95)
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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