TPN2010FNH,L1Q Preços (USD) [146815pcs Estoque]
- 1 pcs$0.26459
- 5,000 pcs$0.26327
- Número da peça:
- TPN2010FNH,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TPN2010FNH,L1Q Atributos do produto
Número da peça :
TPN2010FNH,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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