Toshiba Semiconductor and Storage - TPN2010FNH,L1Q

KEY Part #: K6419951

TPN2010FNH,L1Q Preços (USD) [146815pcs Estoque]

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  • 5,000 pcs$0.26327

Número da peça:
TPN2010FNH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN2010FNH,L1Q Atributos do produto

Número da peça : TPN2010FNH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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