Infineon Technologies - IRFH8318TRPBF

KEY Part #: K6407561

IRFH8318TRPBF Preços (USD) [285056pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.12976
  • 4,000 pcs$0.11128

Número da peça:
IRFH8318TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH8318TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFH8318TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3180pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PQFN (5x6)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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