IXYS - IXFH14N85X

KEY Part #: K6394040

IXFH14N85X Preços (USD) [14212pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.19067
  • 10 pcs$2.84824
  • 100 pcs$2.33540
  • 500 pcs$1.89109
  • 1,000 pcs$1.59489

Número da peça:
IXFH14N85X
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 850V 14A TO247AD.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH14N85X Atributos do produto

Número da peça : IXFH14N85X
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 850V 14A TO247AD
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 850V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1043pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 460W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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