[8835pcs Estoque]
- Número da peça:
- NDS355AN_G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NDS355AN_G electronic components. NDS355AN_G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDS355AN_G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDS355AN_G Atributos do produto
Número da peça :
NDS355AN_G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
195pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SuperSOT-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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