STP21NM60ND Preços (USD) [12234pcs Estoque]
- 1 pcs$3.06286
- 10 pcs$2.73675
- 100 pcs$2.24396
- 500 pcs$1.81705
- 1,000 pcs$1.53245
- Número da peça:
- STP21NM60ND
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 17A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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STP21NM60ND Atributos do produto
Número da peça :
STP21NM60ND
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220
Series :
FDmesh™ II
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
140W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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