Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J214FE(TE85L,F

KEY Part #: K6407560

SSM6J214FE(TE85L,F Preços (USD) [885618pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04176

Número da peça:
SSM6J214FE(TE85L,F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J214FE(TE85L,F Atributos do produto

Número da peça : SSM6J214FE(TE85L,F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Series : U-MOSVI
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ES6
Pacote / caso : SOT-563, SOT-666

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