NVTR01P02LT1G Preços (USD) [792956pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04665
- 3,000 pcs$0.04479
- Número da peça:
- NVTR01P02LT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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NVTR01P02LT1G Atributos do produto
Número da peça :
NVTR01P02LT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.25V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
3.1nC @ 4V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
225pF @ 5V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
400mW (Ta)
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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