ON Semiconductor - FQPF27P06

KEY Part #: K6404104

FQPF27P06 Preços (USD) [48456pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.30717

Número da peça:
FQPF27P06
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF27P06 Atributos do produto

Número da peça : FQPF27P06
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 47W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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