NVMFS6B03NT1G Preços (USD) [2787pcs Estoque]
- 1,500 pcs$1.66863
- Número da peça:
- NVMFS6B03NT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS6B03NT1G electronic components. NVMFS6B03NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS6B03NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS6B03NT1G Atributos do produto
Número da peça :
NVMFS6B03NT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.9W (Ta), 198W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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