IXYS - IXFT70N30Q3

KEY Part #: K6396110

IXFT70N30Q3 Preços (USD) [5937pcs Estoque]

  • 1 pcs$8.39036
  • 10 pcs$7.25745
  • 100 pcs$6.16883

Número da peça:
IXFT70N30Q3
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 300V 70A TO-268.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT70N30Q3 Atributos do produto

Número da peça : IXFT70N30Q3
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 300V 70A TO-268
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4735pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 830W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268
Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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