[13972pcs Estoque]
- Número da peça:
- FQI13N06LTU
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQI13N06LTU electronic components. FQI13N06LTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI13N06LTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQI13N06LTU Atributos do produto
Número da peça :
FQI13N06LTU
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.4nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK (TO-262)
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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