ON Semiconductor - FQD20N06LTF

KEY Part #: K6410818

[14005pcs Estoque]


    Número da peça:
    FQD20N06LTF
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD20N06LTF Atributos do produto

    Número da peça : FQD20N06LTF
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
    Series : QFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17.2A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 8.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 38W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63