IRF6645TRPBF Preços (USD) [137353pcs Estoque]
- 1 pcs$0.27063
- 4,800 pcs$0.26929
- Número da peça:
- IRF6645TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IRF6645TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF6645TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ SJ
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric SJ
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