Diodes Incorporated - DMP21D6UFB4-7B

KEY Part #: K6393699

DMP21D6UFB4-7B Preços (USD) [839208pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04407

Número da peça:
DMP21D6UFB4-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP21D6UFB4-7B Atributos do produto

Número da peça : DMP21D6UFB4-7B
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 580mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.8nC @ 8V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 46.1pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 510mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : X2-DFN1006-3
Pacote / caso : 3-XFDFN

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