NXP USA Inc. - PMV31XN,215

KEY Part #: K6414213

[12832pcs Estoque]


    Número da peça:
    PMV31XN,215
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Zener - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMV31XN,215 Atributos do produto

    Número da peça : PMV31XN,215
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23
    Series : TrenchMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.9A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±12V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 20V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 280mW (Tj)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236AB (SOT23)
    Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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