Rohm Semiconductor - RSQ015N06TR

KEY Part #: K6421424

RSQ015N06TR Preços (USD) [538716pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07590
  • 3,000 pcs$0.07552

Número da peça:
RSQ015N06TR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSQ015N06TR Atributos do produto

Número da peça : RSQ015N06TR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 600mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TSMT6 (SC-95)
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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