[3548pcs Estoque]
- Número da peça:
- PMT200EN,115
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PMT200EN,115 electronic components. PMT200EN,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMT200EN,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMT200EN,115 Atributos do produto
Número da peça :
PMT200EN,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
475pF @ 80V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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