DMT10H072LFDF-13 Preços (USD) [333575pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11088
- Número da peça:
- DMT10H072LFDF-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET BVDSS 61V-100V U-DFN2020.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT10H072LFDF-13 electronic components. DMT10H072LFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT10H072LFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT10H072LFDF-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMT10H072LFDF-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET BVDSS 61V-100V U-DFN2020
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
266pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
800mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
U-DFN2020-6
Pacote / caso :
6-UDFN Exposed Pad
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