Nexperia USA Inc. - PHT6NQ10T,135

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PHT6NQ10T,135 Preços (USD) [281605pcs Estoque]

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Número da peça:
PHT6NQ10T,135
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHT6NQ10T,135 Atributos do produto

Número da peça : PHT6NQ10T,135
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operação : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-73
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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