[12496pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSH111,215
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BSH111,215 electronic components. BSH111,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSH111,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSH111,215 Atributos do produto
Número da peça :
BSH111,215
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
335mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
40pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
830mW (Tc)
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-236AB
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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