[13011pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDB5645
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDB5645 electronic components. FDB5645 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB5645, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDB5645 Atributos do produto
Número da peça :
FDB5645
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
107nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4468pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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