SI7810DN-T1-GE3 Preços (USD) [158886pcs Estoque]
- 1 pcs$0.23279
- 3,000 pcs$0.19673
- Número da peça:
- SI7810DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7810DN-T1-GE3 electronic components. SI7810DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7810DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7810DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI7810DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8
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