NTGS5120PT1G Preços (USD) [476955pcs Estoque]
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- Número da peça:
- NTGS5120PT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTGS5120PT1G electronic components. NTGS5120PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTGS5120PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTGS5120PT1G Atributos do produto
Número da peça :
NTGS5120PT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
111 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
942pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
600mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Pacote / caso :
SOT-23-6
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