IRF3710STRRPBF Preços (USD) [100110pcs Estoque]
- 1 pcs$0.39058
- 800 pcs$0.37496
- Número da peça:
- IRF3710STRRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF3710STRRPBF electronic components. IRF3710STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3710STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF3710STRRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF3710STRRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
57A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3130pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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