Renesas Electronics America - N0412N-S19-AY

KEY Part #: K6393753

N0412N-S19-AY Preços (USD) [124994pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.73586

Número da peça:
N0412N-S19-AY
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

N0412N-S19-AY Atributos do produto

Número da peça : N0412N-S19-AY
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrição : MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5550pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta), 119W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3

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