STMicroelectronics - STQ1NK80ZR-AP

KEY Part #: K6417436

STQ1NK80ZR-AP Preços (USD) [277206pcs Estoque]

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Número da peça:
STQ1NK80ZR-AP
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STQ1NK80ZR-AP Atributos do produto

Número da peça : STQ1NK80ZR-AP
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
Series : SuperMESH™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 300mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-92-3
Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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