Infineon Technologies - IPL60R199CPAUMA1

KEY Part #: K6418023

IPL60R199CPAUMA1 Preços (USD) [49289pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.79329

Número da peça:
IPL60R199CPAUMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL60R199CPAUMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPL60R199CPAUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 16.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 660µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1520pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 139W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-VSON-4
Pacote / caso : 4-PowerTSFN

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