Vishay Siliconix - SI4830CDY-T1-E3

KEY Part #: K6523591

SI4830CDY-T1-E3 Preços (USD) [4670pcs Estoque]

  • 2,500 pcs$0.21317

Número da peça:
SI4830CDY-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4830CDY-T1-E3 Atributos do produto

Número da peça : SI4830CDY-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Series : LITTLE FOOT®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 15V
Potência - Max : 2.9W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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