BSC018NE2LSATMA1 Preços (USD) [164965pcs Estoque]
- 1 pcs$0.22421
- 5,000 pcs$0.21525
- Número da peça:
- BSC018NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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BSC018NE2LSATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC018NE2LSATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
29A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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