ON Semiconductor - FDI9406-F085

KEY Part #: K6417663

FDI9406-F085 Preços (USD) [38165pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.02449

Número da peça:
FDI9406-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDI9406-F085 Atributos do produto

Número da peça : FDI9406-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
Series : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 138nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7710pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 176W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK (TO-262)
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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