Nexperia USA Inc. - PSMN4R8-100PSEQ

KEY Part #: K6408583

PSMN4R8-100PSEQ Preços (USD) [22373pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.84213
  • 10 pcs$1.64381
  • 100 pcs$1.34775
  • 500 pcs$1.03539
  • 1,000 pcs$0.87322

Número da peça:
PSMN4R8-100PSEQ
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100PSEQ electronic components. PSMN4R8-100PSEQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R8-100PSEQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R8-100PSEQ Atributos do produto

Número da peça : PSMN4R8-100PSEQ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 100V TO220AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 278nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 405W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

Você também pode estar interessado em