CSD17579Q3AT Preços (USD) [231947pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17092
- 250 pcs$0.17006
- 1,250 pcs$0.09524
- Número da peça:
- CSD17579Q3AT
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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CSD17579Q3AT Atributos do produto
Número da peça :
CSD17579Q3AT
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.9V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
998pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.2W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-VSONP (3x3.15)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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