Rohm Semiconductor - RSD201N10TL

KEY Part #: K6409650

RSD201N10TL Preços (USD) [213421pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17331
  • 2,500 pcs$0.15884

Número da peça:
RSD201N10TL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSD201N10TL Atributos do produto

Número da peça : RSD201N10TL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : CPT3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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