ON Semiconductor - FDD8874

KEY Part #: K6409584

FDD8874 Preços (USD) [181439pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.20488
  • 2,500 pcs$0.20386

Número da peça:
FDD8874
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD8874 Atributos do produto

Número da peça : FDD8874
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta), 116A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2990pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252AA
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63