IXYS Integrated Circuits Division - CPC5603CTR

KEY Part #: K6404884

CPC5603CTR Preços (USD) [254133pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.45573
  • 10 pcs$0.39887
  • 100 pcs$0.29093
  • 500 pcs$0.21550

Número da peça:
CPC5603CTR
Fabricante:
IXYS Integrated Circuits Division
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CPC5603CTR Atributos do produto

Número da peça : CPC5603CTR
Fabricante : IXYS Integrated Circuits Division
Descrição : MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 415V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -0.35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 Ohm @ 50mA, 350mV
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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