Vishay Siliconix - SIHS36N50D-E3

KEY Part #: K6398744

SIHS36N50D-E3 Preços (USD) [12160pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$1.82961

Número da peça:
SIHS36N50D-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHS36N50D-E3 Atributos do produto

Número da peça : SIHS36N50D-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3233pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 446W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SUPER-247™ (TO-274AA)
Pacote / caso : TO-247-3

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