IXYS - IXTH2N150L

KEY Part #: K6395003

IXTH2N150L Preços (USD) [10273pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.43450
  • 30 pcs$4.41243

Número da peça:
IXTH2N150L
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH2N150L Atributos do produto

Número da peça : IXTH2N150L
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247
Series : Linear L2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 Ohm @ 1A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 8.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 20V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 290W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3